পণ্যৰ সুবিধাসমূহ

Silicon Carbide Shell and Tube Heat Exchanger

চৰম জাৰণ আৰু তাপমাত্ৰা প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা

ছিলিকন কাৰ্বাইড (SIC) এ ব্যতিক্ৰমী ৰাসায়নিক স্থিৰতা প্ৰদৰ্শন কৰে, ঘনীভূত ছালফিউৰিক/নাইট্ৰিক/ফছফ’ৰিক এচিড, শক্তিশালী ক্ষাৰক, আৰু অক্সিডেন্ট প্ৰতিৰোধ কৰে। ইয়াৰ তাপীয় স্থিৰতাই ধাৰাবাহিকভাৱে উচ্চ-উষ্ণতা কাৰ্য্যৰ অধীনত কাৰ্য্যক্ষমতা বজাই ৰাখে (১,৬০০ ডিগ্ৰীলৈকে), আক্ৰমণাত্মক ঔদ্যোগিক পৰিৱেশত পদাৰ্থৰ অৱক্ষয়ৰ আশংকা দূৰ কৰে।

উচ্চ তাপ স্থানান্তৰ কাৰ্য্যক্ষমতা

চাপ-মুক্ত Sintered SIC এ প্ৰচলিত পদাৰ্থতকৈ 18–22% অধিক তাপ পৰিবাহীতা প্ৰদান কৰে (X-MOL ৰ পৰা পৰীক্ষামূলক তথ্য)। ইয়াৰ ফলত দ্ৰুত উষ্ণতা নিয়ন্ত্ৰণ সম্ভৱ হয় আৰু গেছৰ সময়ত তাপ প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা কম কৰি শক্তিৰ ব্যৱহাৰ হ্ৰাস পায়-তৰল বা তৰল-তৰল তাপ বিনিময়।

অতুলনীয় পৰিধান প্ৰতিৰোধ ক্ষমতা

9.5 ৰ MOHS কঠিনতা (কেৱল হীৰাৰ বাবে দ্বিতীয়) ৰ সৈতে SIC টিউবে স্লাৰী বা উচ্চ-বেগৰ তৰল পদাৰ্থত ঘৰ্ষণকাৰী কণিকাৰ প্ৰভাৱ সহ্য কৰে। ইয়াৰ ফলত ধাতুৰ বিকল্পৰ তুলনাত সঁজুলিৰ আয়ুস ৩–৫x বৃদ্ধি পায়, যাৰ ফলত ৰক্ষণাবেক্ষণৰ ডাউনটাইম হ্ৰাস পায়।

লিক-প্ৰমাণ ছিলিং প্ৰযুক্তি

মালিকানাধীন ছিলিং পদ্ধতিয়ে অতি চাপ/উষ্ণতাৰ উঠা-নমাৰ অধীনত তৰল পদাৰ্থৰ বাইপাছ ৰোধ কৰে। ইয়াৰ ফলত বীজাণুমুক্ত প্ৰক্ৰিয়াত দূষণৰ আশংকা নাইকিয়া হয় আৰু ব্যয়বহুল চাপ-হ্ৰাস সঁজুলি এৰাই চলিব পৰা যায়।

উদ্যোগৰ গোচৰসমূহ

ৰাসায়নিক উদ্যোগ

ক্ল'ৰ-কলংকিত হাইড্ৰ'ক্লৰিক এচিড নিয়ন্ত্ৰণ কৰা ক্ষাৰকীয় উদ্ভিদত পৰম্পৰাগত ধাতুৰ তাপ বিনিময়কাৰীৰ সন্মুখীন হয় গুৰুতৰ জাৰণ, যাৰ বাবে ত্ৰিমাসিক প্ৰতিস্থাপনৰ প্ৰয়োজন হয়। SIC শ্বেল-আৰু{3}}টিউব এককলৈ সলনি কৰাৰ পিছত:

- কাৰ্য্যকৰী আয়ুস ৩ মাহৰ পৰা 3+ বছৰলৈ বৃদ্ধি কৰা

- তাপ সঞ্চালনৰ কাৰ্যক্ষমতা ২২% বৃদ্ধি পালে, ভাপ ব্যৱহাৰ ১৫% কৰ্তন কৰক

- শূন্য লিকবোৰে এচিডৰ ছিটিকি পৰা বিপদ আৰু পৰিৱেশৰ জৰিমনা নিৰ্মূল কৰিলে

অৰ্ধপৰিবাহী নিৰ্মাণ

আল্ট্ৰা-বিশুদ্ধ পানী (UPW) ব্যৱস্থাই দূষণৰ দাবী কৰে-মুক্ত তাপ বিনিময়কাৰী। UPW উত্তাপনৰ বাবে SIC মডেলৰ সৈতে Platinum-আৱৰণযুক্ত এককসমূহৰ সলনি এটা FAB:

- কণিকাৰ দূষণলৈ হ্ৰাস কৰা<0.1 ppb (vs. 5 ppb previously)

- তাপীয় শ্বক ৰেজিষ্টেন্সৰ অনুমতি দিয়া হৈছে 5 ডিগ্ৰী শীতল আৰু 85 ডিগ্ৰী চেনিটাইজেচন চক্ৰৰ মাজত তৎক্ষণাত চুইচিঙৰ অনুমতি

{0}} ৰক্ষণাবেক্ষণৰ খৰচ 40% হ্ৰাস পোৱাৰ বাবে প্লেটিং অৱক্ষয়

খাদ্য আৰু ফাৰ্মা প্ৰয়োগ

ভেকচিন উৎপাদনত বীজাণুমুক্ত ভাপ ঘনীভূতকৰণৰ প্ৰয়োজন হয়, SIC বিনিময়কাৰীয়ে পলিমাৰক আউটপাৰ্ফৰ্ম কৰিছিল-আৱৰণযুক্ত বিকল্পসমূহ:

- কোনো বস্তুৰ অৱক্ষয়ৰ সৈতে বৈধ কৰা CIP/SIP সুসংগততা

- আল্ট্ৰা-মসৃণ SIC পৃষ্ঠত কোনো বায়'ফিল্ম সঞ্চয় নাই (RA<0.4 μm)